Моя заявка (0)
Транзистор IGBT STGD10NC60HT4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055404931
Артикул
STGD10NC60HT4
Бренд
STMicroelectronics
Series
PowerMESHв(ў
IGBT Type
-
Packaging
Cut Tape(CT)
Input Type
Standard
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V

Технические параметры

SeriesPowerMESHв(ў
IGBT Type-
PackagingCut Tape(CT)
Input TypeStandard
Вес, г7
Длина6.6 mm
СерияSTGD10NC60H
Gate Charge19.2nC
Part StatusActive
Power - Max60W
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота2.4 mm
Ширина6.2 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Test Condition390V, 5A, 10Ohm, 15V
Base Part NumberSTG*10NC
Switching Energy31.8ВµJ(on), 95ВµJ(off)
УпаковкаReel, Cut Tape
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Td (on/off) @ 25В°C14.2ns/72ns
Вид монтажаSMD/SMT
Supplier Device PackageDPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 5A
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокDPAK-3
Current - Collector (Ic) (Max)20A
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Коммерческое обозначениеPowerMESH
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.20 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V

Техническая документация