STGB6NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024646337
- Артикул
- STGB6NC60HDT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGB6NC60HDT4
- Вес, г
- 1.72
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGB6NC60HDT4 |
| Вес, г | 1.72 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Continuous Collector Current: | 12 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |