Моя заявка (0)
STGB40V60F, Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048283374
Артикул
STGB40V60F
Бренд
STMicroelectronics
MSL
MSL 1-Unlimited
Brand:
STMicroelectronics
Вес, г
1.5
No. of Pins
3Pins
Цена по запросу
(от 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия IGBT V STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop очень высокоскоростные устройства серии IGBT V обладают самым низким в отрасли коэффициентом полезного действия. В сочетании с напряжением насыщения всего 1,8 В и максимальной рабочей температурой соединения 175°C они обеспечивают повышенную эффективность системы, более высокие частоты переключения (до 120 кГц) и упрощенную конструкцию для защиты от перегрева и электромагнитныx помеx.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Brand:STMicroelectronics
Вес, г1.5
No. of Pins3Pins
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK
Product RangeTrench V Series
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK
Power Dissipation283W
Product Category:IGBT Transistors
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-263(D2PAK)
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:283 W
Operating Temperature Max175°C
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Voltage Max600V
Gate-Emitter Leakage Current:250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A

Техническая документация