STGB40H65FB, IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003286182
- Артикул
- STGB40H65FB
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- FS(Field Stop)
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STGB40H65FB
- Вес, г
- 1.38
Цена по запросу
(от 612 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором серии HB/HB2 Биполярные транзисторы STMicroelectronics серии HB/HB2 с изолированным затвором (IGBT) сочетают в себе очень низкое напряжение насыщения (до 1,6 В) с минимальным током отключения коллектора и максимальной рабочей температурой 175°C. Это повышает эффективность высокочастотныx применений (до 100 кГц) и использует усовершенствованную запатентованную конструкцию Trench Gate Field-Stop (TGFS).
Технические параметры
| Type | FS(Field Stop) |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STGB40H65FB |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Power Dissipation | 283Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Collector Current (Ic) | 80A |
| Power Dissipation (Pd) | 283W |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.498mJ |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.363mJ |
| Линейка Продукции | 650V HB |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |