STGB30V60DF, 258W 60A 600V FS (Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074696798
- Артикул
- STGB30V60DF
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1.73
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к конкретным областям применения, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает в себя высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, МОП-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе высокую номинальную температуру переxода (200°C) с очень низкой площадью RDS (при минимальном изменении температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. IGBT-транзисторы серии M обеспечивают оптимизированное соотношение VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию при управлении двигателем. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любого типа питания.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 1.73 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 258 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |