Моя заявка (0)
STGB30V60DF, 258W 60A 600V FS (Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074696798
Артикул
STGB30V60DF
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Вес, г
1.73
Technology:
Si
Subcategory:
IGBTs
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к конкретным областям применения, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает в себя высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, МОП-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе высокую номинальную температуру переxода (200°C) с очень низкой площадью RDS (при минимальном изменении температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. IGBT-транзисторы серии M обеспечивают оптимизированное соотношение VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию при управлении двигателем. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любого типа питания.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Вес, г1.73
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3
Product Category:IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:258 W
Gate-Emitter Leakage Current:250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Continuous Collector Current Ic Max:30 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.85 V
Continuous Collector Current at 25 C:60 A

Техническая документация