STGB30H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828501
- Артикул
- STGB30H65DFB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия IGBT V STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop очень высокоскоростные устройства серии IGBT V обладают самым низким в отрасли коэффициентом полезного действия. В сочетании с напряжением насыщения всего 1,8 В и максимальной рабочей температурой соединения 175°C они обеспечивают повышенную эффективность системы, более высокие частоты переключения (до 120 кГц) и упрощенную конструкцию для защиты от перегрева и электромагнитныx помеx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |