STGB15M65DF2, Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057884999
- Артикул
- STGB15M65DF2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1.5
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные ворота серии STM 650V M с полевым ограничителем IGBT Серии STMicroelectronics 650V M с полевым ограничителем IGBT разработаны с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции полевого ограничителя для траншейныx ворот. Серия STMicroelectronics 650V M обеспечивает максимальный ток коллектора от 3 А до 150 А для приложений с рабочей частотой до 100 кГц. IGBT имеют оптимизированную конструкцию и выпускаются со встроенным антипараллельным диодом, изготовленным по индивидуальному заказу. Положительный температурный коэффициент VCE (sat) и точное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 1.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 uA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |