STGB10NC60HDT4, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 20A 65Вт D Pak
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645439
- Артикул
- STGB10NC60HDT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 9.35 mm
- Height
- 4.6 mm
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 20A 65Вт DІPak Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 9.35 mm |
| Height | 4.6 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | STGB10NC60HD |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.57 |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | d2pak |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | D2PAK-3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 14.2 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 |