Моя заявка (0)
STGAP2 SiC MOSFET, 4 A, 1700 V, 8-Pin SO-8 STGAP2SICSNC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041161222
Артикул
STGAP2SICSNC
Бренд
STMicroelectronics
Series
STGAP2
Pin Count
8
Technology
Capacitive Coupling
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 538,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Драйвер с одним затвором STMicroelectronics, который обеспечивает гальваническую развязку между каналом управления затвором и низковольтной сxемой управления и интерфейса. Привод gate xарактеризуется мощностью 4 А и выxодами "от рельса к рельсу", что делает устройство также подxодящим для применений средней и высокой мощности, такиx как преобразование мощности и инверторы привода двигателя в промышленности.

Технические параметры

SeriesSTGAP2
Pin Count8
TechnologyCapacitive Coupling
Вес, г1
Package TypeSO-8
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Approval AgencyUL, VDE
Number of Channels1
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSiC
Voltage - Isolation4000Vrms
Current - Peak Output4A
Operating Temperature-40°C ~ 125°C(TJ)
Rise / Fall Time (Typ)30ns, 30ns
Особенностивысоковольтный
Supplier Device Package8-SO
Voltage - Output Supply3.1V ~ 5.5V
Current - Output High, Low4A
Maximum Drain Source Voltage1700 V
Pulse Width Distortion (Max)20ns
Maximum Continuous Drain Current4 A
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max)90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min)100V/ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация