Моя заявка (0)

STFW4N150, Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

STFW4N150, Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001224598
Артикул
STFW4N150
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
STFW4
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 190 ₽)
Минимальный заказ: 19 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные IEEE 1500V + Дискретные полупроводниковые транзисторы

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
SeriesSTFW4
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-3PF
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-3PF-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:50 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:300
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:63 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1500 V
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current4 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.5 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Крутизна характеристики, S3.5
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт63
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация