STFW3N170,Power MOSFET, N Channel, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-3PF, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001867821
- Артикул
- STFW3N170
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 53 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 030 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 2,3А TO-3PF
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 53 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.35 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-3PF-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 300 |
| Power Dissipation (Pd) | 63W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 44nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.1nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13Ω@10V, 1.3A |