Моя заявка (0)

STFU13N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU13N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673204
Артикул
STFU13N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
2
Серия
STFU13N80K5
Корпус
TO-220
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 397,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Вес, г2
СерияSTFU13N80K5
КорпусTO-220
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада16 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора29 nC
Время нарастания16 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности35 W
Id - непрерывный ток утечки12 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток370 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения42 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.37 Ом

Техническая документация