STFU13N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828452
- Артикул
- STFU13N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2.3
- Длина
- 16.4 mm
- Серия
- STFU13N65M2
- Высота
- 4.6 mm
Цена по запросу
(от 197,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP ultra narrow leads package
Технические параметры
| Вес, г | 2.3 |
| Длина | 16.4 mm |
| Серия | STFU13N65M2 |
| Высота | 4.6 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 10.4 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 12 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 25W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 590pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 430 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 430mΩ@5A, 10V |