Моя заявка (0)

STFI13NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube

STFI13NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001042882
Артикул
STFI13NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A с 3-контактным разъемом (3+ вкладки) I2PAKFP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageI2PAKFP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyMDmesh
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)10
Typical Rise Time (ns)8
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)25000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)30
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)30 10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)3
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)11
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)790 50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)360 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4.5V@50uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2Ω@1.9A, 10V

Техническая документация

STFI13NM60N STMicroelectronics: купить, цена от 280 ₽ | ЭПЛ