Моя заявка (0)

Транзистор полевой STF9NM60N MOSFET N-Ch 600V 6.5A

Транзистор полевой STF9NM60N MOSFET N-Ch 600V 6.5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070018144
Артикул
STF9NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Series
MDmesh
Pin Count
3
Вес, г
2
Серия
STF9NM60N
Цена по запросу
(от 650 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор STF9NM60N — изделие серии STF9. Характеристики Обозначение: STF9NM60N Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-Ch 600V 6.5A Масса: 2 г Производитель: ST Единица измерения: шт

Технические параметры

SeriesMDmesh
Pin Count3
Вес, г2
СерияSTF9NM60N
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220FP
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26.7 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation25 W
Typical Gate Charge @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора17.4 nC
Maximum Drain Source Resistance745 mΩ
Время нарастания23 ns
Maximum Continuous Drain Current6.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности25 W
Id - непрерывный ток утечки6.5 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток745 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения52.5 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V

Техническая документация