Моя заявка (0)
STF9NM60N, MOSFETs N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828446
Артикул
STF9NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Series
MDmesh
Pin Count
3
Вес, г
190
Серия
STF9NM60N
Цена по запросу
(от 229,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

Технические параметры

SeriesMDmesh
Pin Count3
Вес, г190
СерияSTF9NM60N
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220FP
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26.7 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation25 W
Typical Gate Charge @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора17.4 nC
Maximum Drain Source Resistance745 mΩ
Время нарастания23 ns
Maximum Continuous Drain Current6.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности25 W
Id - непрерывный ток утечки6.5 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Крутизна характеристики, S-
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток745 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе4V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения52.5 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В-25 V, +25 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.47 Ом

Техническая документация