Моя заявка (0)

STF9NK90Z,Power MOSFET, N Channel, 900 V, 3.6 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

STF9NK90Z,Power MOSFET, N Channel, 900 V, 3.6 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8416784846
Артикул
STF9NK90Z
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Тип
MOSFET
Series:
STF9NK90Z
Fall Time:
28 ns
Цена по запросу
(от 716 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
ТипMOSFET
Series:STF9NK90Z
Fall Time:28 ns
Packaging:Tube
Rise Time:13 ns
Tradename:SuperMESH
Вес, г1.814
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220F
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Описание900V, 8A N-Channel MOSFET
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:72 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Способ монтажаThrough Hole
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Тип проводимостиN
кол-во в упаковке50
Rds On - Drain-Source Resistance:1.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:900 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Крутизна характеристики, S-
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Транспортная упаковка: размер/кол-во65*37*42.5/1000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.1 Ом

Техническая документация