STF9N60M2, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049988471
- Артикул
- STF9N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Серия
- STF9N60M2
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 195,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 600V 0.72Ohm 55A MDMesh M2
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | STF9N60M2 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13.5 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.5A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.72Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh II Plus |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 780 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.72Ом |