Транзистор полевой STF8NK100Z
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405103
- Артикул
- STF8NK100Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220FP
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 680 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | SuperMesh™ |
| Вес, г | 2.27 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220FP |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4.3A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 40W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.85Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.85 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |