Моя заявка (0)
STF8N80K5, MOSFET транзистор TO-220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887933
Артикул
STF8N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STF8N80K5
Fall Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 330 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

800В 6А 950 Мом при 10 В, 3А 25 Вт 5 В при 100uA N-канальные МОП-транзисторы TO-220F-3 ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:STMicroelectronics
Series:STF8N80K5
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г2.3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:16.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)25W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Continuous Drain Current (Id)6A
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:950 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе5V@100uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)950mΩ@10V, 3A

Техническая документация