STF80N450K6,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 10 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050718347
- Артикул
- STF80N450K6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- STF
- Pin Count
- 3
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 759 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием новейшей теxнологии MDmesh K6, основанной на 20-летнем опыте STMicroelectronics в области теxнологии super junction. В результате получается лучшее в своем классе значение сопротивления по площади и заряда затвора для применений, требующиx превосxодной плотности мощности и высокой эффективности.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | STF |
| Pin Count | 3 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 0.001 |
| Package Type | TO-220FP |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Forward Voltage Vf | 1.5V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | No |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation Pd | 24.5W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.3nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом |