STF7NM60N, MOSFETs N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828438
- Артикул
- STF7NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Тип
- Power MOSFET
- Вес, г
- 190
- Серия
- STF7NM60N
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 294,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 3А, 20Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | Power MOSFET |
| Вес, г | 190 |
| Серия | STF7NM60N |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.84 Ом |