STF7N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8611829695
- Артикул
- STF7N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 263 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600 В 5А (Tc) 20 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-220FP
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.3 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Range | MDmesh II Plus |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation | 20W |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Transistor Case Style | TO-220FP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 20W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Drain Source Voltage Vds | 600V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 5A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.86ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 950mΩ@10V, 2.5A |