Моя заявка (0)

STF7N105K5, MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N105K5, MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673202
Артикул
STF7N105K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STF7N105K5
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 319,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STF7N105K5
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:7 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г1.95
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:17.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.05 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1050
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.4 Ом

Техническая документация