Моя заявка (0)
STF7LN80K5, Transistor: N-MOSFET; unipolar

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062516445
Артикул
STF7LN80K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STF7LN80K5
Fall Time:
17.4 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 84,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STF7LN80K5
Fall Time:17.4 ns
Packaging:Tube
Rise Time:6.7 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:9.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23.6 ns
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.15 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация