STF6N65M2, Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002209692
- Артикул
- STF6N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Серия
- STF6N65M2
- Корпус
- TO-220
- Продукт
- Power MOSFET
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 210 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | STF6N65M2 |
| Корпус | TO-220 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 20 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 9.8 nC |
| Время нарастания | 7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 6.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.35 Ohms |