STF6N62K3, MOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828427
- Артикул
- STF6N62K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 246,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STF6N62K3 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 9.3 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.6(Max) |
| Package Height | 16.4(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 0.8 |
| Process Technology | SuperMESH 3 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 19 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
| Время нарастания | 12.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 620 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 49 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 875@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 9000 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.28 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1Ом |