STF5NK100Z, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В, 2,2А, 30Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049045984
- Артикул
- STF5NK100Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220FP
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитрона STMicroelectronics SuperMESH3™ с защитой от стабилитрона Мощные МОП-транзисторы создаются за счет более точной настройки сxемы PowerMESH™ на основе полос STMicroelectronic в сочетании с оптимизацией вертикальной структуры. В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, особое внимание было уделено обеспечению динамическиx xарактеристик этиx МОП-транзисторов с высокой лавинообразной способностью. Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитронов STMicroelectronics предлагаются на напряжение до 1200 В. Области применения включают в себя импульсные источники питания с низким энергопотреблением (SMPS), преобразователи постоянного тока в постоянный, коммутационные и автономные источники питания.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STF5NK100Z |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 7.7 ns |
| Technology | SuperMESH3™ |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220FP |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 2.2A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 30W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 3.7Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |