Моя заявка (0)
STF5N95K5, MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828425
Артикул
STF5N95K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 216,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:16 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенностиинтеллектуальный ключ с защитой
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:3.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:950 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2Ом

Техническая документация