STF4N90K5, TO-220FP-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041296493
- Артикул
- STF4N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 312,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
СИЛОВОЙ MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 4A, TO-220FP-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 4A; Напряжение источника стока Vds: 900 В; Сопротивление включения Rds(on): 1,9 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220FP; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Без SVHC (12 января 2017 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5 |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 25.5 ns |
| Rise Time | 11.8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3.26 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.3 nC |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 1.9Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.9 Ohms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1Ω@1A, 10V |