STF4N80K5, MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828418
- Артикул
- STF4N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5, SuperMESH5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к вашим конкретным задачам, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом и IGBT-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. Новейшие SiC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе самый высокий в отрасли показатель температуры соединения - 200°C с очень низкой площадью RDS (on) (при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. Что касается управления двигателем, IGBT-транзисторы серии M предлагают оптимальный выбор между VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любой сxемы питания.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
| Series: | STF4N80K5 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC |
| Process Technology | SuperMESH |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 2.1Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 60000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 10.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 10.5@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 Ohms |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 175@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2500@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5Ω@10V, 1.5A |