STF45N65M5, MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828417
- Артикул
- STF45N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M5
- Series:
- Mdmesh M5
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 22А, 40Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M5 |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 82 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 78 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.067Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.067Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.067 Ом |