STF42N60M2-EP,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000104220
- Артикул
- STF42N60M2-EP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2.3
- Серия:
- STF42N60M2-EP
- Корпус
- TO-220
- Упаковка:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 2.3 |
| Серия: | STF42N60M2-EP |
| Корпус | TO-220 |
| Упаковка: | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время спада: | 8 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Qg - заряд затвора: | 55 nC |
| Время нарастания: | 9.5 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 34 A |
| Коммерческое обозначение: | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 25 V, + 25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 87 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 600 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 96.5 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 16.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 87mΩ |