STF40N60M2, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015666256
- Артикул
- STF40N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220FP
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STF40N60M2
Цена по запросу
(от 830 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодом оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS1 (вкл.), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STF40N60M2 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2.3 |
| Gate charge | 57nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 34A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 40W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 88mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 136A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 57nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.5nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 34A |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 88mΩ@17A, 10V |