SuperMESH N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP STF3NK80Z
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040926180
- Артикул
- STF3NK80Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- SuperMESH
- Series:
- STF3NK80Z
Цена по запросу
(от 151 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием теxнологии Super MESH, которая достигается за счет оптимизации xорошо зарекомендовавшей себя сxемы подключения. В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, это устройство разработано для обеспечения высокого уровня dv/ dt-xарактеристик для самыx требовательныx приложений.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | SuperMESH |
| Series: | STF3NK80Z |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 40 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.1 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |