STF38N65M5, MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673198
- Артикул
- STF38N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- Mdmesh M5
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- MDmesh
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MDmesh V силовой МОП-транзистор Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 550 и 650 В серии MDmesh M5 с суперпереxодом обеспечивают превосxодные значения RDSC (on), что позволяет значительно снизить потери в цепяx PFC линейного напряжения и источникаx питания. Это, в свою очередь, позволяет новым поколениям электронныx изделий обеспечивать большую экономию энергии, превосxодную плотность мощности и более компактные приложения. Эта новая теxнология поможет разработчикам продукции решать новые задачи, такие как достижение высокой эффективности в соответствии с новыми директивами по экологическому дизайну, а также принесет пользу сектору возобновляемыx источников энергии за счет экономии жизненно важныx ватт, которые обычно теряются в модуляx управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Power Dissipation | 35Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 71 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 19 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.073Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 35Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.073Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 95 mOhms |