Моя заявка (0)

STF35N65DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 650В, 20А, Idm: 90А

STF35N65DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 650В, 20А, Idm: 90А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003836323
Артикул
STF35N65DM2
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
1.71
Серия
STF35N65DM2
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 1 260 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Вес, г1.71
СерияSTF35N65DM2
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation40Вт
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора56.3 nC
Drain Source On State Resistance0.093Ом
Линейка ПродукцииMDmesh DM2
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока32А
Рассеиваемая Мощность40Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs4В
Pd - рассеивание мощности40 W
Id - непрерывный ток утечки32 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.093Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В3 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)110 mOhms

Техническая документация