STF35N65DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 650В, 20А, Idm: 90А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003836323
- Артикул
- STF35N65DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1.71
- Серия
- STF35N65DM2
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 1 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 1.71 |
| Серия | STF35N65DM2 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 56.3 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.093Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh DM2 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 32А |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.093Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110 mOhms |