STF35N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 17А, 40Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062306798
- Артикул
- STF35N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh DM2
Цена по запросу
(от 613,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power МОП-транзисторs in TO-220FP package
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh DM2 |
| Fall Time | 10.7 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 17 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.72 |
| Серия | STF35N60DM2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220FP |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 54 nC |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10.7 ns |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 21.2 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Время нарастания | 17 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |