STF33N60M2, TO-220FP MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015784801
- Артикул
- STF33N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STF33N60M2
- Fall Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 306,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600В 26А 35ВТ 125 Мом при 13А, 10В 4В при 250uA нулевые МОП-транзисторы TO-220FP-3 ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STF33N60M2 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9.6 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2.23 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 35W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.781nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 109 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 26A |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 108 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 125mΩ@13A, 10V |