Моя заявка (0)

STF30N65M5, Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

STF30N65M5, Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001140073
Артикул
STF30N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
Material
Si
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 690 ₽)
Минимальный заказ: 44 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 650V 22A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для трубки TO-220FP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MaterialSi
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220FP
Process TechnologyMDmesh
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)10
Typical Rise Time (ns)8
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)30000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)64
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)64@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)50
Maximum Drain Source Voltage (V)650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)50
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)22
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2880@100V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)139@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация