Моя заявка (0)

STF28N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF28N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067815336
Артикул
STF28N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Fall Time
9.3 ns
Rise Time
7.3 ns
Цена по запросу
(от 474 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Fall Time9.3 ns
Rise Time7.3 ns
TechnologySi
Вес, г1
СерияSTF28N60DM2
Channel ModeEnhancement
ManufacturerSTMicroelectronics
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220FP-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge34 nC
УпаковкаTube
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity1000
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9.3 ns
Pd - Power Dissipation30 W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage25 V
Typical Turn-On Delay Time16 ns
Typical Turn-Off Delay Time53 ns
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Id - Continuous Drain Current21 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора34 nC
Время нарастания7.3 ns
Rds On - Drain-Source Resistance0.13 Ohms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Id - непрерывный ток утечки21 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения53 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация