STF25N60M2-EP, MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828392
- Артикул
- STF25N60M2-EP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220FP
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STF25N60M2-EP
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 303,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами напряжением 600 и 650 В оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RD(on), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STF25N60M2-EP |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.95 |
| Gate charge | 29nC |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 18A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 188mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 72A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.175Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 188 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.175Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 188mΩ@9A, 10V |