Моя заявка (0)

STF24N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF24N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828390
Артикул
STF24N65M2
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
2.3
Серия
STF24N65M2
Корпус
TO-220
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 389 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package

Технические параметры

Вес, г2.3
СерияSTF24N65M2
КорпусTO-220
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада25.5 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220FP-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора29 nC
Время нарастания9.5 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Id - непрерывный ток утечки16 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток185 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения68 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.185 Ом

Техническая документация