STF24N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 10,7А, Idm: 52,5А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062427854
- Артикул
- STF24N60M6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 3.37
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 313,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 3.37 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |