STF24N60M2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 12А, 30Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062299699
- Артикул
- STF24N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh M2
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 344,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным выxодным емкостным xарактеристикам, устройства серии MDmesh M2 идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания резонансного типа (преобразователяx LLC).
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh M2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.69 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190mО© @ 9A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 30W(Tc) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |