STF24N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II Plus, полевой, 600В, 11А, 30Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070648186
- Артикул
- STF24N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- FDmeshв(ў II Plus
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Vgs (Max)
- В±25V
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II Plus, полевой, 600В, 11А, 30Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | FDmeshв(ў II Plus |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.3 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Standard Package | 50 |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 9A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain Source On State Resistance | 0.175Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh DM2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1055pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.175Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |