Моя заявка (0)

STF23NM50N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 500В, 11А, 30Вт, TO220FP

STF23NM50N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 500В, 11А, 30Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061262360
Артикул
STF23NM50N
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
MDmeshв(ў II
Series:
STF23NM50N
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 1 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
SeriesMDmeshв(ў II
Series:STF23NM50N
FET TypeN-Channel
PackagingTube
Vgs (Max)В±25V
Fall Time:29 ns
Packaging:Tube
Rise Time:19 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Tradename:MDmesh
Вес, г1.7
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Standard Package50
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:45 nC
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВµA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 8.5A, 10V
Pd - Power Dissipation:30 W
Power Dissipation (Max)30W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220FP
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:6.6 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Typical Turn-Off Delay Time:71 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Id - Continuous Drain Current:17 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 50V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C17A(Tc)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация