Моя заявка (0)

STF22NM60N, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 10А, 30Вт, TO220FP

STF22NM60N, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 10А, 30Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062564037
Артикул
STF22NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Series
MDmeshв(ў II
FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
В±30V
Цена по запросу
(от 807,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh

Технические параметры

SeriesMDmeshв(ў II
FET TypeN-Channel
PackagingTube
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.69
СерияSTF22NM60N
Part StatusActive
ManufacturerSTMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Standard Package50
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100ВµA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада38 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs220 mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max)30W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220FP
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Qg - заряд затвора44 nC
Время нарастания18 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C16A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Id - непрерывный ток утечки16 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток220 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения74 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация