Моя заявка (0)

STF21N90K5, 900V 18.5A 299m-@9A,10V 40W 5V@100uA N Channel 1645pF@100V 43nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-220FP MOSFETs

STF21N90K5, 900V 18.5A 299m-@9A,10V 40W 5V@100uA N Channel 1645pF@100V 43nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-220FP MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015868550
Артикул
STF21N90K5
Бренд
STMicroelectronics
Type
1PCSNChannel
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STF21N90K5
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 372,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:STMicroelectronics
Series:STF21N90K5
Packaging:Tube
Tradename:SuperMESH
Вес, г2.3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:43 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)40W
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:40 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)43nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.645nF@100V
Continuous Drain Current (Id)18.5A
Id - Continuous Drain Current:18.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:299 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:900 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе5V@100uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)299mΩ@9A, 10V

Техническая документация