Моя заявка (0)

STF21N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 10,7А, 30Вт, TO220FP

STF21N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 10,7А, 30Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887546
Артикул
STF21N65M5
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
MDmesh M5
Цена по запросу
(от 316 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 650 В, 17 А, ДО 220FP; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:17 А; Напряжение источника стока Vds: 650 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,15 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Мощность: 30 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220FP; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Без SVHC (17 декабря 2015 г.)

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesMDmesh M5
Series:Mdmesh M5
PackagingTube
Packaging:Tube
TechnologySi
Tradename:MDmesh
Вес, г1.69
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge50 nC
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:50 nC
Number of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity1000
Pd - Power Dissipation30 W
Pd - Power Dissipation:30 W
Vgs - Gate-Source Voltage25 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current17 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:17 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance150 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:150 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация